Nova ação de falha no AWS FIS para injetar latência de E/S nos volumes do Amazon EBS
Hoje, o Amazon EBS anunciou uma nova ação de injeção de latência no Serviço de Injeção de Falhas da AWS (FIS), um serviço totalmente gerenciado para executar experimentos de injeção de falhas. Agora você pode usar essa ação para injetar a latência de E/S em seus volumes como parte de um experimento de teste controlado para entender como suas aplicações essenciais respondem às falhas de armazenamento. Com a nova ação de falha, você pode testar sua arquitetura em relação à elevada latência de armazenamento, permitindo observar o comportamento da aplicação e ajustar seus processos de monitoramento e recuperação para garantir a alta disponibilidade.
Os volumes do EBS são projetados para atender às necessidades de aplicações altamente disponíveis e sensíveis à latência, como Oracle, SAP HANA e Microsoft SQL Server. A ação de injeção de latência simula a degradação da performance de E/S em seu volume para replicar os sinais do mundo real, como alarmes do Amazon CloudWatch e tempos limite do sistema operacional, que ocorrem durante problemas de performance do armazenamento. Usando essa ação, você pode aumentar a confiança de que sua aplicação pode resistir e se recuperar rapidamente de interrupções que causam alta latência de E/S em seu volume do EBS. Para começar, você pode usar diretamente os modelos de experimento de injeção de latência predefinidos que estão disponíveis nos consoles do EBS e do FIS. Como alternativa, você pode personalizar esses modelos de experimento ou criar seus próprios modelos de experimento para atender às necessidades de teste específicas da aplicação. Você pode integrar esses experimentos de injeção de latência aos seus testes existentes de engenharia do caos, integração contínua e testes de versão, bem como combinar várias ações do FIS em um experimento.
Essa nova ação está disponível em todas as regiões da AWS nas quais o AWS FIS está disponível. Para saber mais, acesse o guia do usuário de ações do EBS FIS.